|
M58BW32F даташитФункция этой детали – «(m58bw16f / M58bw32f) Flash Memories». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58BW32F | ST Microelectronics |
(M58BW16F / M58BW32F) Flash memories
M58BW16F M58BW32F
16 or 32 Mbit (x32, Boot Block, Burst) 3.3V supply Flash memories
Preliminary Data
Features
■
Supply voltage – VDD = 2.7V to 3.6V (45ns) or VDD = 2.5V to 3.3V (55ns) – VDDQ = VDDQIN = 2.4V to 3.6V for I/O Buffers High performance – Access times: 45 and 55ns – Synchronous Burst Reads – 75MHz Effective Zero Wait-State Burst Read – Asynchronous Page Reads M58BW32F memory organization: – Eight 64 Kbit small parameter blocks – Four 128 Kbit large parameter blocks � |
Это результат поиска, начинающийся с "58BW32F", "M58BW" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5832 | Microsemi Corporation |
40 Amp Schottky Rectifier |
|
1N5832 | Naina Semiconductor |
(1N5832 - 1N5834R) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Schottky Power Diode, 40A
Features
• • • • • Fast Switching Low forward voltage drop High surge capability High efficiency, low power loss Normal and Reverse polarity
1N5832 thru 1N5834R
DO-203AB (DO-5)
Maximum Ratings (TJ = 25oC, unless othe |
|
1N5832 | America Semiconductor |
(1N5832 - 1N5834R) Silicon Power Schottky Diode Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N5832 | New Jersey Semiconductor |
Diode Schottky 20V 40A 2-Pin DO-5 |
|
1N5832 | GeneSiC |
Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode
Features • High Surge Capability • Types from 20 V to 40V VRRM • Not ESD Sensitive
Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base.
1N5832 thru 1N5834R
VRRM = 20 V - 40 V IF(AV) = 40 A
DO-5 P |
|
1N5832 | TRANSYS |
SCHOTTKY DIODES Transys
Electronics
LIMITED
1N5832(R) THRU
1N5834(R)
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE
Features
High Surge Capability
Types up to 40V V RRM
40 A
40Amp Rectifier 20-40 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65 C to +150
Storage Temperature: -65 C to +175
Part Number
1N5832(R) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |