DataSheet26.com


M58BW32F даташит

Функция этой детали – «(m58bw16f / M58bw32f) Flash Memories».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M58BW32F ST Microelectronics
ST Microelectronics
  (M58BW16F / M58BW32F) Flash memories

M58BW16F M58BW32F 16 or 32 Mbit (x32, Boot Block, Burst) 3.3V supply Flash memories Preliminary Data Features ■ Supply voltage – VDD = 2.7V to 3.6V (45ns) or VDD = 2.5V to 3.3V (55ns) – VDDQ = VDDQIN = 2.4V to 3.6V for I/O Buffers High performance – Access times: 45 and 55ns – Synchronous Burst Reads – 75MHz Effective Zero Wait-State Burst Read – Asynchronous Page Reads M58BW32F memory organization: – Eight 64 Kbit small parameter blocks – Four 128 Kbit large parameter blocks �
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "58BW32F", "M58BW"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5832 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

40 Amp Schottky Rectifier

pdf
1N5832 Naina Semiconductor
Naina Semiconductor

(1N5832 - 1N5834R) Schottky Power Diode

Naina Semiconductor Ltd. Schottky Power Diode, 40A Features • • • • • Fast Switching Low forward voltage drop High surge capability High efficiency, low power loss Normal and Reverse polarity 1N5832 thru 1N5834R DO-203AB (DO-5) Maximum Ratings (TJ = 25oC, unless othe
pdf
1N5832 America Semiconductor
America Semiconductor

(1N5832 - 1N5834R) Silicon Power Schottky Diode

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
pdf
1N5832 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Schottky 20V 40A 2-Pin DO-5

pdf
1N5832 GeneSiC
GeneSiC

Silicon Power Schottky Diode

Silicon Power Schottky Diode Features • High Surge Capability • Types from 20 V to 40V VRRM • Not ESD Sensitive Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. 1N5832 thru 1N5834R VRRM = 20 V - 40 V IF(AV) = 40 A DO-5 P
pdf
1N5832 TRANSYS
TRANSYS

SCHOTTKY DIODES

Transys Electronics LIMITED 1N5832(R) THRU 1N5834(R) SCHOTTKY DIODES STUD TYPE Features High Surge Capability Types up to 40V V RRM 40 A 40Amp Rectifier 20-40 Volts Maximum Ratings Operating Temperature: -65 C to +150 Storage Temperature: -65 C to +175 Part Number 1N5832(R)
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты