|
M58CR064QZB даташитФункция этой детали – «64 Mbit 4mb X 16 / Dual Bank». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58CR064QZB | ST Microelectronics |
64 Mbit 4Mb x 16 / Dual Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory M58CR064C, M58CR064D M58CR064P, M58CR064Q
64 Mbit (4Mb x 16, Dual Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional)
s
Figure 1. Package
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst Read mode : 54MHz – Asynchronous/ Synchronous Page Read mode – Random Access: 85, 90, 100, 120ns
FBGA
s
PROGRAMMING TIME – 10µs by Word typical – Double/Quadruple Wor |
Это результат поиска, начинающийся с "58CR064QZB", "M58CR064" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HN58064 | Hitachi |
8192-Word x 8-Bit Electrically EPROM
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
|
|
IRHM58064 | International Rectifier |
(IRHM5x064) RADIATION HARDENED POWER MOSFET
PD - 93792D
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHM57064 100K Rads (Si) IRHM53064 300K Rads (Si) IRHM54064 IRHM58064 600K Rads (Si) 1000K Rads (Si) RDS(on) 0.012Ω 0.012Ω 0.012Ω 0.013Ω ID 3 |
|
IRHMB58064 | International Rectifier |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
PD-96972
RADIATION HARDENED IRHMB57064 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) 5 TECHNOLOGY
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHMB57064 100K Rads (Si) IRHMB53064 300K Rads (Si) IRHMB54064 600K Rads (Si) IRHMB58 |
|
IRHNA58064 | International Rectifier |
(IRHNA5x064) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
PD - 91852G
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHNA57064 100K Rads (Si) IRHNA53064 300K Rads (Si) IRHNA54064 600K Rads (Si)
IRHNA57064 JANSR2N7468U2 60V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/673
5
T |
|
IRHSLNA58064 | International Rectifier |
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT PD-94401A
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHSLNA57064 100K Rads (Si) IRHSLNA53064 300K Rads (Si) IRHSLNA54064 600K Rads (Si) RDS(on) QG 6.1mΩ 160nC 6.1mΩ 160nC 6.1mΩ 160nC 160nC SMD-2
IRHSLNA57064 60V, N-CH |
|
M58CR064-ZBT | ST Microelectronics |
64 Mbit 4Mb x 16 / Dual Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory M58CR064C, M58CR064D M58CR064P, M58CR064Q
64 Mbit (4Mb x 16, Dual Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional)
s
Figur |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |