|
M58LR016C100ZC6T даташитФункция этой детали – «16 Mbit 1mb X16 / Mux I/o /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58LR016C100ZC6T | ST Microelectronics |
16 Mbit 1Mb x16 / Mux I/O / Dual Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory M58MR016C M58MR016D
16 Mbit (1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
SUPPLY VOLTAGE – VDD = VDDQ = 1.7V to 2.0V for Program, Erase and Read
s s
– VPP = 12V for fast Program (optional) MULTIPLEXED ADDRESS/DATA SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Burst mode Read: 40MHz – Page mode Read (4 Words Page) – Random Access: 100ns
FBGA
TFBGA48 (ZC) 10 x 4 ball array
s
PROGRAMMING TIME – 10µs by Word typical – Two or four words programming option
s
MEMORY BLOCKS – Dua |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |