DataSheet26.com


M58LR256KT даташит

Функция этой детали – «(m58lrxxxkx) 128 Or 256 Mbit 1.8 V Supply».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M58LR256KT Numonyx
Numonyx
  (M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

M58LR128KT M58LR128KB M58LR256KT M58LR256KB 128 or 256 Mbit (×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply Flash memories Preliminary Data Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz – Asynchronous page read mode – Random access: 70 ns, 85 ns Synchronous burst read suspend Programming time – 2.5 µs typical wor
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "58LR256KT", "M58LR25"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
CXK58256M Sony Corporation
Sony Corporation

32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

Datasheet.es
pdf
CXK58256P Sony Corporation
Sony Corporation

32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

Datasheet.es
pdf
M58LR256GL STMicroelectronics
STMicroelectronics

128 and 256Mbit 1.8V supply Flash memories

M58LR256GU, M58LR256GL M58LR128GU, M58LR128GL 128 and 256Mbit (x16, Mux I/O, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V supply Flash memories Feature summary ■ Supply voltage – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O B
pdf
M58LR256GU STMicroelectronics
STMicroelectronics

128 and 256Mbit 1.8V supply Flash memories

M58LR256GU, M58LR256GL M58LR128GU, M58LR128GL 128 and 256Mbit (x16, Mux I/O, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V supply Flash memories Feature summary ■ Supply voltage – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O B
pdf
M58LR256KB Numonyx
Numonyx

(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

M58LR128KT M58LR128KB M58LR256KT M58LR256KB 128 or 256 Mbit (×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply Flash memories Preliminary Data Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers
pdf
TC582562AXB Toshiba
Toshiba

CMOS NAND EPROM

TC582562AXB TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 256-MBIT (32M × 8 BITS) CMOS NAND E PROM DESCRIPTION The TC582562A is a single 3.3 V 256-Mbit (276,824,064) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты