|
M58LR256KT даташитФункция этой детали – «(m58lrxxxkx) 128 Or 256 Mbit 1.8 V Supply». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58LR256KT | Numonyx |
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories M58LR128KT M58LR128KB M58LR256KT M58LR256KB
128 or 256 Mbit (×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply Flash memories
Preliminary Data
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz – Asynchronous page read mode – Random access: 70 ns, 85 ns Synchronous burst read suspend Programming time – 2.5 µs typical wor |
Это результат поиска, начинающийся с "58LR256KT", "M58LR25" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
CXK58256M | Sony Corporation |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
Datasheet.es |
|
CXK58256P | Sony Corporation |
32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
Datasheet.es |
|
M58LR256GL | STMicroelectronics |
128 and 256Mbit 1.8V supply Flash memories
M58LR256GU, M58LR256GL M58LR128GU, M58LR128GL
128 and 256Mbit (x16, Mux I/O, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V supply Flash memories
Feature summary
■
Supply voltage – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O B |
|
M58LR256GU | STMicroelectronics |
128 and 256Mbit 1.8V supply Flash memories
M58LR256GU, M58LR256GL M58LR128GU, M58LR128GL
128 and 256Mbit (x16, Mux I/O, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V supply Flash memories
Feature summary
■
Supply voltage – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O B |
|
M58LR256KB | Numonyx |
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories M58LR128KT M58LR128KB M58LR256KT M58LR256KB
128 or 256 Mbit (×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply Flash memories
Preliminary Data
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers |
|
TC582562AXB | Toshiba |
CMOS NAND EPROM TC582562AXB
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
2
256-MBIT (32M × 8 BITS) CMOS NAND E PROM DESCRIPTION
The TC582562A is a single 3.3 V 256-Mbit (276,824,064) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |