DataSheet26.com


M58LT128GST даташит

Функция этой детали – «(m58lt128gsb / M58lt128gst) Flash Memories».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M58LT128GST STMicroelectronics
STMicroelectronics
  (M58LT128GSB / M58LT128GST) Flash Memories

M58LT128GST M58LT128GSB 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories PRELIMINARY DATA Features Summary ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7 to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 to 3.6V for I/O Buffers – VPP = 9V for fast program SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Random Access: 110ns – Asynchronous Page Read: 25ns. – Synchronous Burst Read: 52MHz SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND PROGRAMMING TIME – 10µs typical Word program time using Buff
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "58LT128GST", "M58LT128"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
HM658128A Hitachi
Hitachi

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM

ADE-203-188H(Z) HM658128A Series 131072-word × 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM Rev. 8.0 Jun. 5, 1995 The Hitachi HM658128A is a pseudo-static RAM organized as 131,072-word × 8-bit. HM658128A realizes low power consumption and high speed access time
pdf
M58LT128GSB STMicroelectronics
STMicroelectronics

(M58LT128GSB / M58LT128GST) Flash Memories

M58LT128GST M58LT128GSB 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories PRELIMINARY DATA Features Summary ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7 to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 to 3.6V for I/O Buffers –
pdf
M58LT128HSB STMicroelectronics
STMicroelectronics

(M58LT128HSB / M58LT128HST) Flash memories

M58LT128HST M58LT128HSB 128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 V to 3.6 V for I/O buffers – VPP =
pdf
M58LT128HST STMicroelectronics
STMicroelectronics

(M58LT128HSB / M58LT128HST) Flash memories

M58LT128HST M58LT128HSB 128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 V to 3.6 V for I/O buffers – VPP =
pdf
TC558128AJ Toshiba
Toshiba

CMOS Static RAM

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w .D t a S a e h U 4 t e m o .c w w w .D at h S a t e e 4U . m o c
pdf
TC558128BFT-10 Toshiba
Toshiba

8-Bit CMOS Static RAM

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты