|
M58LT128GST даташитФункция этой детали – «(m58lt128gsb / M58lt128gst) Flash Memories». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58LT128GST | STMicroelectronics |
(M58LT128GSB / M58LT128GST) Flash Memories
M58LT128GST M58LT128GSB
128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
PRELIMINARY DATA
Features Summary
■
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7 to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 to 3.6V for I/O Buffers – VPP = 9V for fast program SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Random Access: 110ns – Asynchronous Page Read: 25ns. – Synchronous Burst Read: 52MHz SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND PROGRAMMING TIME – 10µs typical Word program time using Buff |
Это результат поиска, начинающийся с "58LT128GST", "M58LT128" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HM658128A | Hitachi |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM ADE-203-188H(Z)
HM658128A Series
131072-word × 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM
Rev. 8.0 Jun. 5, 1995
The Hitachi HM658128A is a pseudo-static RAM organized as 131,072-word × 8-bit. HM658128A realizes low power consumption and high speed access time |
|
M58LT128GSB | STMicroelectronics |
(M58LT128GSB / M58LT128GST) Flash Memories
M58LT128GST M58LT128GSB
128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
PRELIMINARY DATA
Features Summary
■
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7 to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 to 3.6V for I/O Buffers – |
|
M58LT128HSB | STMicroelectronics |
(M58LT128HSB / M58LT128HST) Flash memories
M58LT128HST M58LT128HSB
128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 V to 3.6 V for I/O buffers – VPP = |
|
M58LT128HST | STMicroelectronics |
(M58LT128HSB / M58LT128HST) Flash memories
M58LT128HST M58LT128HSB
128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read – VDDQ = 2.7 V to 3.6 V for I/O buffers – VPP = |
|
TC558128AJ | Toshiba |
CMOS Static RAM w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
|
|
TC558128BFT-10 | Toshiba |
8-Bit CMOS Static RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |