|
M58LW128B даташитФункция этой детали – «128 Mbit 8mb X16 Or 4mb X32 /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58LW128B | ST Microelectronics |
128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32 / Uniform Block / Burst 3V Supply Flash Memories M58LW128A M58LW128B
128 Mbit (8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY s WIDE DATA BUS for HIGH BANDWIDTH – M58LW128A: x16 – M58LW128B: x16/x32
s
Figure 1. Packages
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Program, Erase and Read operations – VDDQ = 1.8 to VDD for I/O Buffers
s
SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst read – Pipelined Synchronous Burst Read – Asynchronous Random Read – Asynchronous Address Latch C |
Это результат поиска, начинающийся с "58LW128B", "M58LW1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HM658128A | Hitachi |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM ADE-203-188H(Z)
HM658128A Series
131072-word × 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM
Rev. 8.0 Jun. 5, 1995
The Hitachi HM658128A is a pseudo-static RAM organized as 131,072-word × 8-bit. HM658128A realizes low power consumption and high speed access time |
|
M58LW128A | ST Microelectronics |
128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32 / Uniform Block / Burst 3V Supply Flash Memories M58LW128A M58LW128B
128 Mbit (8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY s WIDE DATA BUS for HIGH BANDWIDTH – M58LW128A: x16 – M58LW128B: x16/x32
s
Figure 1. Packages
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7 to 3.6V core supply |
|
TC558128AJ | Toshiba |
CMOS Static RAM w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
|
|
TC558128BFT-10 | Toshiba |
8-Bit CMOS Static RAM |
|
TC558128BFTI | Toshiba |
CMOS Static RAM w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
t e
U 4
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
TC558128BJ-10 | Toshiba |
8-Bit CMOS Static RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |