DataSheet26.com


M58WR032EB даташит

Функция этой детали – «(m58wr032eb/t) Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M58WR032EB ST Microelectronics
ST Microelectronics
  (M58WR032EB/T) Flash Memory

M58WR032ET M58WR032EB 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional) SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst Read mode: 54MHz – Asynchronous/ Synchronous Page Read mode – Random Access: 70, 80, 100ns PROGRAMMING TIME – 8µs by Word typical for Fast Factor
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "58WR032EB", "M58WR03"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
DAT58032 DAICO Industries
DAICO Industries

GaAs 5 Section Attenuator

MODEL NUMBER DAT58032 FEATURES • DC - 500 MHz • 1 dB LSB, 31 dB Range • 100 nSec Switching Speed • 9 mA, +5 VDC GaAs 5 Section Attenuator • 14 mA, -12 VDC • 24 Pin Flatpack • See DA0953 for 24 Pin DIP 5 BIT DAICO Industries 310.507.3242 �
pdf
M58WR032ET ST Microelectronics
ST Microelectronics

(M58WR032EB/T) Flash Memory

M58WR032ET M58WR032EB 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers �
pdf
M58WR032KL ST Microelectronics
ST Microelectronics

(M58WR032Kx / M58WR064Kx / M58WR016Kx) Flash memories

M58WR016KU M58WR016KL M58WR032KU M58WR032KL M58WR064KU M58WR064KL 16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2 V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.7 V to 2 V for I/O buffers – VPP
pdf
M58WR032KU ST Microelectronics
ST Microelectronics

(M58WR032Kx / M58WR064Kx / M58WR016Kx) Flash memories

M58WR016KU M58WR016KL M58WR032KU M58WR032KL M58WR064KU M58WR064KL 16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories Features ■ Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2 V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.7 V to 2 V for I/O buffers – VPP
pdf
SY58032U Micrel Semiconductor
Micrel Semiconductor

ULTRRA-PRECISION 1:8 FANOUT BUFFER

Micrel, Inc. ULTRA-PRECISION 1:8 FANOUT BUFFER WITH LVPECL OUTPUTS AND INTERNAL TERMINATION Precision Edge SY58032U Precision Edge® SY58032U ® FEATURES s Precision 1:8, LVPECL fanout buffer s Guaranteed AC performance over temperature and voltage: • C
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты