|
M58WR032EB даташитФункция этой детали – «(m58wr032eb/t) Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58WR032EB | ST Microelectronics |
(M58WR032EB/T) Flash Memory M58WR032ET M58WR032EB
32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
■
■
■
■
■
■
■
■ ■
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional) SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst Read mode: 54MHz – Asynchronous/ Synchronous Page Read mode – Random Access: 70, 80, 100ns PROGRAMMING TIME – 8µs by Word typical for Fast Factor |
Это результат поиска, начинающийся с "58WR032EB", "M58WR03" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
DAT58032 | DAICO Industries |
GaAs 5 Section Attenuator MODEL NUMBER DAT58032
FEATURES • DC - 500 MHz • 1 dB LSB, 31 dB Range • 100 nSec Switching Speed • 9 mA, +5 VDC
GaAs 5 Section Attenuator
• 14 mA, -12 VDC • 24 Pin Flatpack • See DA0953 for 24 Pin DIP
5 BIT
DAICO
Industries
310.507.3242 � |
|
M58WR032ET | ST Microelectronics |
(M58WR032EB/T) Flash Memory M58WR032ET M58WR032EB
32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
■
■
■
■
■
■
■
■ ■
SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers � |
|
M58WR032KL | ST Microelectronics |
(M58WR032Kx / M58WR064Kx / M58WR016Kx) Flash memories M58WR016KU M58WR016KL M58WR032KU M58WR032KL M58WR064KU M58WR064KL
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2 V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.7 V to 2 V for I/O buffers – VPP |
|
M58WR032KU | ST Microelectronics |
(M58WR032Kx / M58WR064Kx / M58WR016Kx) Flash memories M58WR016KU M58WR016KL M58WR032KU M58WR032KL M58WR064KU M58WR064KL
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2 V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.7 V to 2 V for I/O buffers – VPP |
|
SY58032U | Micrel Semiconductor |
ULTRRA-PRECISION 1:8 FANOUT BUFFER
Micrel, Inc.
ULTRA-PRECISION 1:8 FANOUT BUFFER WITH LVPECL OUTPUTS AND INTERNAL TERMINATION
Precision Edge SY58032U
Precision Edge® SY58032U ®
FEATURES
s Precision 1:8, LVPECL fanout buffer s Guaranteed AC performance over temperature and voltage: • C |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |