|
M58WR064HT даташитФункция этой детали – «1.8 V Supply Flash Memories». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58WR064HT | ST Microelectronics |
1.8 V supply Flash memories
M58WR064HT M58WR064HB
64 Mbit (4 Mb x16, multiple bank, burst) 1.8 V supply Flash memories
Features
■
Supply voltage – VDD = 1.7 V to 2 V for program, erase and read – VDDQ = 1.7 V to 2.24 V for I/O buffers – VPP = 12 V for fast program (optional) Synchronous/asynchronous read – Synchronous burst read mode: 66 MHz – Asynchronous/synchronous page read mode – Random access: 60 ns, 70 ns Synchronous burst read suspend Programming time – 8 µs by word typical for fast factory program � |
Это результат поиска, начинающийся с "58WR064HT", "M58WR06" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HN58064 | Hitachi |
8192-Word x 8-Bit Electrically EPROM
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShe
e
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
|
|
IRHM58064 | International Rectifier |
(IRHM5x064) RADIATION HARDENED POWER MOSFET
PD - 93792D
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHM57064 100K Rads (Si) IRHM53064 300K Rads (Si) IRHM54064 IRHM58064 600K Rads (Si) 1000K Rads (Si) RDS(on) 0.012Ω 0.012Ω 0.012Ω 0.013Ω ID 3 |
|
IRHMB58064 | International Rectifier |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA)
PD-96972
RADIATION HARDENED IRHMB57064 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) 5 TECHNOLOGY
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHMB57064 100K Rads (Si) IRHMB53064 300K Rads (Si) IRHMB54064 600K Rads (Si) IRHMB58 |
|
IRHNA58064 | International Rectifier |
(IRHNA5x064) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
PD - 91852G
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHNA57064 100K Rads (Si) IRHNA53064 300K Rads (Si) IRHNA54064 600K Rads (Si)
IRHNA57064 JANSR2N7468U2 60V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/673
5
T |
|
IRHSLNA58064 | International Rectifier |
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT PD-94401A
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
Product Summary
Part Number Radiation Level IRHSLNA57064 100K Rads (Si) IRHSLNA53064 300K Rads (Si) IRHSLNA54064 600K Rads (Si) RDS(on) QG 6.1mΩ 160nC 6.1mΩ 160nC 6.1mΩ 160nC 160nC SMD-2
IRHSLNA57064 60V, N-CH |
|
M58WR064B | STMicroelectronics |
(M58WR064B/T) FLASH MEMORY M58WR064T M58WR064B
64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory
PRODUCT PREVIEW
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional)
s
Figu |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |