|
M58WR128ET даташитФункция этой детали – «128 Mbit 8mb X 16 / Multiple Bank». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M58WR128ET | ST Microelectronics |
128 Mbit 8Mb x 16 / Multiple Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory M58WR128ET M58WR128EB
128 Mbit (8Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
PRODUCT PREVIEW
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional)
s
Figure 1. Package
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst Read mode: 54MHz – Asynchronous/ Synchronous Page Read mode – Random Access: 70, 80, 100ns
FBGA
s s
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND PROGRAMMING TIME – 8µs by Word typ |
Это результат поиска, начинающийся с "58WR128ET", "M58WR12" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HM658128A | Hitachi |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM ADE-203-188H(Z)
HM658128A Series
131072-word × 8-bit High Speed CMOS Pseudo Static RAM
Rev. 8.0 Jun. 5, 1995
The Hitachi HM658128A is a pseudo-static RAM organized as 131,072-word × 8-bit. HM658128A realizes low power consumption and high speed access time |
|
M58WR128EB | ST Microelectronics |
128 Mbit 8Mb x 16 / Multiple Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory M58WR128ET M58WR128EB
128 Mbit (8Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
PRODUCT PREVIEW
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program (optional)
s
Fi |
|
TC558128AJ | Toshiba |
CMOS Static RAM w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
|
|
TC558128BFT-10 | Toshiba |
8-Bit CMOS Static RAM |
|
TC558128BFTI | Toshiba |
CMOS Static RAM w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
t e
U 4
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
TC558128BJ-10 | Toshiba |
8-Bit CMOS Static RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |