|
M59BW102 даташитФункция этой детали – «1 Mbit 64kb X16 / Burst Low Voltage». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M59BW102 | ST Microelectronics |
1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory M59BW102
1 Mbit (64Kb x16, Burst) Low Voltage Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS SEQUENTIAL CYCLE TIME: 25ns RANDOM ACCESS TIME PROGRAMMING TIME: 10µs typical INTERLEAVED ACCESS TIME: 16ns CONTINUOUS MEMORY INTERLEAVING
TSOP40 (N) 10 x 14mm
s s s s s
– Unlimited Linear Access Data Output s PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.) – Program Word-by-Word – Status Register bits s LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by and Automatic Stand-by s 100,000 PROGRAM/ERA |
|
M59BW10225N1T | ST Microelectronics |
1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory |
|
M59BW102N | ST Microelectronics |
1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |