DataSheet26.com


M59BW102 даташит

Функция этой детали – «1 Mbit 64kb X16 / Burst Low Voltage».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M59BW102 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory

M59BW102 1 Mbit (64Kb x16, Burst) Low Voltage Flash Memory PRELIMINARY DATA s 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS SEQUENTIAL CYCLE TIME: 25ns RANDOM ACCESS TIME PROGRAMMING TIME: 10µs typical INTERLEAVED ACCESS TIME: 16ns CONTINUOUS MEMORY INTERLEAVING TSOP40 (N) 10 x 14mm s s s s s – Unlimited Linear Access Data Output s PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.) – Program Word-by-Word – Status Register bits s LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by and Automatic Stand-by s 100,000 PROGRAM/ERA
pdf
M59BW10225N1T ST Microelectronics
ST Microelectronics
  1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory

pdf
M59BW102N ST Microelectronics
ST Microelectronics
  1 Mbit 64Kb x16 / Burst Low Voltage Flash Memory

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты