|
M5M29FT800VP-80 даташитФункция этой детали – «8m-bit Block Erase Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M29FT800VP-80 | Mitsubishi |
8M-Bit BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITMSIUTSBUISBHISI HLISILsSIs
M5M29FBM/T58M0290FFBP/T,8V00PF,PR,VVP-,8R0V-,8-01,0-1,0-,1-122
8,388,388,680,680-B8-IBT I(T10(14084,587,567-W6-OWRODRDBYB8Y-B8-IBT I/T5/2542,248,288-W8-OWRODRDBYB1Y61-B6-IBT)IT) CMCOMSO3S.33V.3-OVN-OLNYL, YB, LBOLCOKCEKREARSAESFELFALSAHSMHEMMEOMROYRY
DESCRIPTION
The MITSUBISHI M5M29FB/T800FP, VP, RV are 3.3V-only high speed 8,388,608-bit CMOS boot block Flash Memories suitable for
mobile and personal computing, and communication products. The M5M29FB/T800FP, VP, RV are fabricated by CMOS |
Это результат поиска, начинающийся с "5M29FT800VP", "M5M29FT800VP" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M29FT800VP | Mitsubishi |
8M-Bit BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITSUBISHI LSIs MITSUBISHI LSIs
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12 M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT) 8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT)
DESCRIPTION
The MITSUBISHI M5M29FB/T800FP, VP, RV are 3.3 |
|
M5M29FT800VP-10 | Mitsubishi |
8M-Bit BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITMSIUTSBUISBHISI HLISILsSIs
M5M29FBM/T58M0290FFBP/T,8V00PF,PR,VVP-,8R0V-,8-01,0-1,0-,1-122
8,388,388,680,680-B8-IBT I(T10(14084,587,567-W6-OWRODRDBYB8Y-B8-IBT I/T5/2542,248,288-W8-OWRODRDBYB1Y61-B6-IBT)IT) CMCOMSO3S.33V.3-OVN-OLNYL, YB, LBOLCOKCEKREARSAESFELFALSAHSMHEMMEOMROYRY |
|
M5M29FT800VP-12 | Mitsubishi |
8M-Bit BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITMSIUTSBUISBHISI HLISILsSIs
M5M29FBM/T58M0290FFBP/T,8V00PF,PR,VVP-,8R0V-,8-01,0-1,0-,1-122
8,388,388,680,680-B8-IBT I(T10(14084,587,567-W6-OWRODRDBYB8Y-B8-IBT I/T5/2542,248,288-W8-OWRODRDBYB1Y61-B6-IBT)IT) CMCOMSO3S.33V.3-OVN-OLNYL, YB, LBOLCOKCEKREARSAESFELFALSAHSMHEMMEOMROYRY |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |