|
M5M29GB160BVP-80 даташитФункция этой детали – «16 /777 /216-bit (2097 /152-word By 8-bit /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M29GB160BVP-80 | Mitsubishi |
16 /777 /216-BIT (2097 /152-WORD BY 8-BIT / 1048 /576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY / BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITSUBISHI LSIs
M5M29GB/T160BVP-80
16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY DESCRIPTION
The MITSUBISHI Mobile FLASH M5M29GB/T160BVP are 3.3V-only high speed 16,777,216-bit CMOS boot block Flash Memories with alternating BGO (Back Ground Operation) feature. The BGO feature of the device allows Program or Erase operations to be performed in one bank while the device simultaneously allows Read operations to be performed on the other bank. This BGO feature is |
Это результат поиска, начинающийся с "5M29GB160BVP", "M5M29GB160BVP" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M29GB160BVP | Mitsubishi |
16 /777 /216-BIT (2097 /152-WORD BY 8-BIT / 1048 /576-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY / BLOCK ERASE FLASH MEMORY MITSUBISHI LSIs
M5M29GB/T160BVP-80
16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT)
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY DESCRIPTION
The MITSUBISHI Mobile FLASH M5M29GB/T160BVP are 3.3V-only high speed 16,777,216-bit CMOS boot block Flash Memories with altern |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |