|
M5M29GB320VP-80 даташитФункция этой детали – «Cmos Block Erase Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M29GB320VP-80 | Renesas |
CMOS Block Erase Flash Memory
Renesas LSIs 33,554,432-BIT (4,194,304-WORD BY 8-BIT / 2,097,152-WORD BY16-BIT)
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY DESCRIPTION
The Mobile FLASH M5M29GB/T320VP are 3.3V-only high speed 33,554,432-bit CMOS boot block Flash Memories with alternating BGO (Back Ground Operation) feature. The BGO feature of the device allows Program or Erase operations to be performed in one bank while the device simultaneously allows Read operations to be performed on the other bank. This BGO feature is suitable fo |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |