DataSheet26.com


M5M4257L-20 даташит

Функция этой детали – «256k-bit Dram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M5M4257L-20 Mitsubishi
Mitsubishi
  256K-Bit DRAM

MITSUBISHI LSls M5M4257L.12, ·15, ·20 262 144-BIT (262 144-WORD BY I-BIT) DYNAMIC RAM DESCRIPTION This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems where high speed, low power dissipation, and low costs are essential. The use of double-layer polysilicon process combined with silicide technology and a singletransistor dynamic storage cell provide high circuit density at reduced costs, and the u
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5M4257L", "M5M4257L"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M5M4257L-12 Mitsubishi
Mitsubishi

256K-Bit DRAM

MITSUBISHI LSls M5M4257L.12, ·15, ·20 262 144-BIT (262 144-WORD BY I-BIT) DYNAMIC RAM DESCRIPTION This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems whe
pdf
M5M4257L-15 Mitsubishi
Mitsubishi

256K-Bit DRAM

MITSUBISHI LSls M5M4257L.12, ·15, ·20 262 144-BIT (262 144-WORD BY I-BIT) DYNAMIC RAM DESCRIPTION This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems whe
pdf
DP05B54257TR AVX
AVX

RF Modules Misc

Multilayer Organic (MLO) 0805 CDMA Diplexer MLO TECHNOLOGY The 0805 diplexer is a best in class low profile multilayer organic passive device that is based on AVX’s patented multilayer organic high density interconnect technology. The MLO diplexer uses high dielectric constant
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты