|
M5M4257P-12 даташитФункция этой детали – «256k-bit Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M4257P-12 | Mitsubishi |
256K-Bit DRAM MITSUBISHI LSls
M5M4257P-12, -15, -20
262 144·BIT (262 144·WORD BY I.BIT) DYNAMIC RAM
DESCRIPTION
This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems where high speed, low power dissipation, and low costs are essential. The use of double-layer polysi licon process combined with silicide technology and a singletransistor dynamic storage cell provide high circuit density at reduced costs, and the |
Это результат поиска, начинающийся с "5M4257P", "M5M4257P" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M4257P-15 | Mitsubishi |
256K-Bit DRAM MITSUBISHI LSls
M5M4257P-12, -15, -20
262 144·BIT (262 144·WORD BY I.BIT) DYNAMIC RAM
DESCRIPTION
This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems whe |
|
M5M4257P-20 | Mitsubishi |
256K-Bit DRAM MITSUBISHI LSls
M5M4257P-12, -15, -20
262 144·BIT (262 144·WORD BY I.BIT) DYNAMIC RAM
DESCRIPTION
This is a family of 262 144-word by 1-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon gate MOS process, and is ideal for large-capacity memory systems whe |
|
DP05B54257TR | AVX |
RF Modules Misc Multilayer Organic (MLO)
0805 CDMA Diplexer
MLO TECHNOLOGY
The 0805 diplexer is a best in class low profile multilayer organic passive device that is based on AVX’s patented multilayer organic high density interconnect technology. The MLO diplexer uses high dielectric constant |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |