|
M5M4464P-15 даташитФункция этой детали – «256k-bit Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M4464P-15 | Mitsubishi |
256K-Bit DRAM MITSUBISHI LSls
MsM4464P-12, -15
262 144-BIT(65 536-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
DESCRIPTION
This is family of 65536-word by 4-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon-gate MOS process, and is ideal for large-ca-pacity memory systems where high speed, low power dissipation, and low costs are essential. The use of double-layer polysilicon process technology and a single-transistor dynamic storage cell provide high circuit density at reduced costs, and the use of dynamic circuitry including |
Это результат поиска, начинающийся с "5M4464P", "M5M4464P" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M4464P-12 | Mitsubishi |
256K-Bit DRAM MITSUBISHI LSls
MsM4464P-12, -15
262 144-BIT(65 536-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
DESCRIPTION
This is family of 65536-word by 4-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance N-channel silicon-gate MOS process, and is ideal for large-ca-pacity memory systems where high spee |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |