|
M5M4V64S20ATP-10 даташитФункция этой детали – «64m (4-bank X 4194304-word X 4-bit) Synchronous Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M4V64S20ATP-10 | Mitsubishi |
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM SDRAM (Rev.0.2) Jan'97 Preliminary
MITSUBISHI LSIs
M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
PRELIMINARY
Some of contents are subject to change without notice.
DESCRIPTION
The M5M4V64S20ATP is a 4-bank x 4194304-word x 4-bit Synchronous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge of CLK. The M5M4V64S20ATP achieves very high speed data rate up to 125MHz, and is suitable for main memory or graphic memory in computer systems.
Vdd NC VddQ NC |
|
M5M4V64S20ATP-10L | Mitsubishi |
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM MITSUBISHI LSIs SDRAM (Rev.1.3) Mar98
M5M4V64S20ATP-8A,-8L,-8, -10L, -10
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
Some of contents are subject to change without notice.
DESCRIPTION
The M5M4V64S20ATP is a 4-bank x 4194304-word x 4-bit Synchronous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge of CLK. The M5M4V64S20ATP achieves very high speed data rate up to 125MHz, and is suitable for main memory or graphic memory in computer systems.
Vdd NC VddQ NC DQ0 VssQ NC NC Vdd |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |