|
M5M51008DVP даташитФункция этой детали – «1048576-bit(131072-word By 8-bit)cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M51008DVP | Mitsubishi |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM Ver. 1.1 MITSUBISHI LSIs
M5M51008DFP,VP,RV,KV,KR -55H, -70H
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M51008DP,FP,VP,RV,KV are a 1048576-bit CMOS static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are fabricated using high-performance quadruple-polysilicon and double metal CMOS technology. The use of thin film transistor (TFT) load cells and CMOS periphery result in a high density and low power static RAM. They are low standby current and low operation current and ideal for the battery back-up |
|
M5M51008DVP-55H | Mitsubishi |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
|
M5M51008DVP-70H | Mitsubishi |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |