|
M5M5256DKP-70LL-W даташитФункция этой детали – «(m5m5256xx-xxxxw) 262144-bit Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5256DKP-70LL-W | Mitsubishi Electric |
(M5M5256xx-xxxxW) 262144-Bit CMOS Static RAM
'97.4.7
MITSUBISHI LSIs
M5M5256DP,KP,FP,VP,RV -45LL-W,-55LL-W,-70LL-W, -45XL-W,-55XL-W,-70XL-W
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5256DP,KP,FP,VP,RV is 262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high density and low power static RAM. Stand-by current is small enough for battery back-up application. It |
Это результат поиска, начинающийся с "5M5256DKP", "M5M5256DKP-70L" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5256DKP | Mitsubishi Electric |
(M5M5256xx) 262144-Bit CMOS Static RAM
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
m et4U.co
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
m et4U.co
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .co |
|
M5M5256DKP-70LL | Mitsubishi Electric |
(M5M5256xx) 262144-Bit CMOS Static RAM
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
m et4U.co
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
m et4U.co
datasheet.esom
DataSh
ee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .co |
|
M5M5256DKP-xxxx-W | Mitsubishi Electric |
(M5M5256xx-xxxxW) 262144-Bit CMOS Static RAM
'97.4.7
MITSUBISHI LSIs
M5M5256DP,KP,FP,VP,RV -45LL-W,-55LL-W,-70LL-W, -45XL-W,-55XL-W,-70XL-W
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5256DP,KP,FP,VP,RV is 262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |