|
M5M5256DRV-70VXL даташитФункция этой детали – «262144-bit (32768-word By 8-bit) Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5256DRV-70VXL | Mitsubishi |
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM '97.4.7
MITSUBISHI LSIs
M5M5256DFP,VP,RV -70VLL,-85VLL, -70VXL,-85VXL
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5256DFP,VP,RV is 262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high density and low power static RAM. Stand-by current is small enough for battery back-up application. It is ideal for the memory systems which require simpl |
|
M5M5256DRV-70VXL-I | Mitsubishi |
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM '97.4.7
MITSUBISHI LSIs
M5M5256DFP,VP,RV -70VLL-I,-85VLL-I, -70VXL-I,-85VXL-I
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5256DFP,VP,RV is 262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high density and low power static RAM. Stand-by current is small enough for battery back-up application. It is ideal for the memory systems which requi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |