|
M5M5278EJ даташитФункция этой детали – «256k-bit Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5278EJ | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
|
Это результат поиска, начинающийся с "5M5278EJ", "M5M527" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5278DP | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
|
M5M5278FP | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
|
M5M5278J | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
|
M5M5278VP | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
|
M5M5278VP | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
|
M5M5279J | Mitsubishi Electric |
256K-Bit CMOS Static RAM
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
e h aS
U 4 et
m o .c
w
w
.D w
at
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |