|
M5M5V108CKV-10H даташитФункция этой детали – «1048576-bit(131072-word By 8-bit)cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M5M5V108CKV-10H | Mitsubishi |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM MITSUBISHI LSIs
M5M5V108CFP,VP,RV,KV,KR -70H, -10H, -70X, -10X
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5V108CFP,VP,RV,KV,KR are a 1048576-bit CMOS static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are fabricated using high-performance quadruple-polysilicon and double metal CMOS technology. The use of thin film transistor (TFT) load cells and CMOS periphery result in a high density and low power static RAM. They are low standby current and low operation current and ideal for the battery back |
|
M5M5V108CKV-10HI | Mitsubishi |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM MITSUBISHI LSIs
M5M5V108CFP,VP,RV,KV,KR -70HI, -10HI, -70XI, -10XI
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
DESCRIPTION
The M5M5V108CFP,VP,RV,KV,KR are a 1048576-bit CMOS static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are fabricated using high-performance quadruple-polysilicon and double metal CMOS technology. The use of thin film transistor (TFT) load cells and CMOS periphery result in a high density and low power static RAM. They are low standby current and low operation current and ideal for the battery |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |