|
M65KA128AE даташитФункция этой детали – «Low Power Sdram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M65KA128AE | STMicroelectronics |
Low Power SDRAM M65KA128AE
128Mbit (4 Banks x 2M x 16) 1.8 V Supply, Low Power SDRAM
Features summary
■
128Mbit Synchronous Dynamic RAM – Organized as 4 Banks of 2MWords, each 16 bits wide
Synchronous Burst Read and Write – Fixed Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 Words or Full Page – Burst Types: Sequential and Interleaved. – Maximum Clock frequency: 133MHz – Clock Valid to Output Delay (CAS Latency): 3 at maximum clock frequency – Burst Control by Burst Stop and Precharge Command
■ ■
Supply Voltage � |
Это результат поиска, начинающийся с "65KA128AE", "M65KA12" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M65KA128AL | ST Microelectronics |
Low Power SDRAMs M65KA128AL
128Mbit (4 Banks x 2M x 16) 1.8V Supply, Low Power SDRAMs
Feature summary
■
128Mbit Synchronous Dynamic RAM – Organized as 4 Banks of 2 MWords, each 16 bits wide Supply Voltage – VDD = 1.65V to 1.95V – VDDQ = 1.65 to 1.95V for Input/Output Synchronous Burst Re |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |