DataSheet26.com


M65KA128AE даташит

Функция этой детали – «Low Power Sdram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M65KA128AE STMicroelectronics
STMicroelectronics
  Low Power SDRAM

M65KA128AE 128Mbit (4 Banks x 2M x 16) 1.8 V Supply, Low Power SDRAM Features summary ■ 128Mbit Synchronous Dynamic RAM – Organized as 4 Banks of 2MWords, each 16 bits wide Synchronous Burst Read and Write – Fixed Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 Words or Full Page – Burst Types: Sequential and Interleaved. – Maximum Clock frequency: 133MHz – Clock Valid to Output Delay (CAS Latency): 3 at maximum clock frequency – Burst Control by Burst Stop and Precharge Command ■ ■ Supply Voltage �
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "65KA128AE", "M65KA12"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M65KA128AL ST Microelectronics
ST Microelectronics

Low Power SDRAMs

M65KA128AL 128Mbit (4 Banks x 2M x 16) 1.8V Supply, Low Power SDRAMs Feature summary ■ 128Mbit Synchronous Dynamic RAM – Organized as 4 Banks of 2 MWords, each 16 bits wide Supply Voltage – VDD = 1.65V to 1.95V – VDDQ = 1.65 to 1.95V for Input/Output Synchronous Burst Re
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты