|
M68732L даташитФункция этой детали – «SilICon Mos Fet Power Amplifier / 400-430mhz /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M68732L | Mitsubishi |
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 400-430MHz / 7W / FM PORTABLE RADIO MITSUBISHI RF POWER MODULE
M68732L
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 400-430MHz, 7W, FM PORTABLE RADIO
OUTLINE DRAWING
30±0.2 26.6±0.2 21.2±0.2
Dimensions in mm
BLOCK DIAGRAM
2
3
2-R1.5±0.1
1 5 1 2 3 4
4 5
0.45 6±1 13.7±1 18.8±1 23.9±1 PIN: 1 Pin : RF INPUT 2 VGG : GATE BIAS SUPPLY 3 VDD : DRAIN BIAS SUPPLY 4 PO : RF OUTPUT 5 GND: FIN
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)
Symbol VDD VGG Pin PO TC (OP) Tstg Parameter Supply voltage Gate bias voltage Input power Output power Operatio |
|
M68732LA | Mitsubishi |
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 400-450MHz / 7W / FM PORTABLE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |