|
M68Z128W даташитФункция этой детали – «3v / 1 Mbit 128kb X8 Low Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M68Z128W | ST Microelectronics |
3V / 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable M68Z128W
3V, 1 Mbit (128Kb x8) Low Power SRAM with Output Enable
s s
LOW VOLTAGE: 3.0V (+0.6V / –0.3V) 128Kb x 8 LOW POWER SRAM with OUTPUT ENABLE EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns LOW VCC DATA RETENTION: 1.4V TRI-STATE COMMON I/O LOW ACTIVE and STANDBY POWER INTENDED for USE with ST ZEROPOWER® and TIMEKEEPER® CONTROLLERS
TSOP32 (N) 8 x 20mm
s s s s s
DESCRIPTION The M68Z128W is a 1 Mbit (1,048,576 bit) Fast CMOS SRAM, organized as 131,072 words by 8 bits. The device features fully static operation requiring no |
|
M68Z128W-70N1T | ST Microelectronics |
3V / 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
|
M68Z128WN | ST Microelectronics |
3V / 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |