|
M68Z512 даташитФункция этой детали – «4 Mbit 512kb X8 Low Power Sram With». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M68Z512 | ST Microelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable M68Z512
4 Mbit (512Kb x8) Low Power SRAM with Output Enable
s
ULTRA LOW DATA RETENTION CURRENT – 100nA (typical) – 10µA (max)
s s s s s s s
OPERATION VOLTAGE: 5V ±10% 512 Kbit x8 SRAM with OUTPUT ENABLE EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns LOW VCC DATA RETENTION: 2V TRI-STATE COMMON I/O CMOS for OPTIMUM SPEED/POWER AUTOMATIC POWER-DOWN WHEN DESELECTED INTENDED FOR USE WITH ST ZEROPOWER® AND TIMEKEEPER ® CONTROLLERS
32
1
TSOP II 32 (NC) 10 x 20mm
s
Figure 1. Logic Diagram
DESCRIPTION The M68Z512 is a 4 Mbit |
|
M68Z512-70NC1T | ST Microelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
|
M68Z512NC | ST Microelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |