DataSheet26.com


M68Z512 даташит

Функция этой детали – «4 Mbit 512kb X8 Low Power Sram With».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M68Z512 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable

M68Z512 4 Mbit (512Kb x8) Low Power SRAM with Output Enable s ULTRA LOW DATA RETENTION CURRENT – 100nA (typical) – 10µA (max) s s s s s s s OPERATION VOLTAGE: 5V ±10% 512 Kbit x8 SRAM with OUTPUT ENABLE EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns LOW VCC DATA RETENTION: 2V TRI-STATE COMMON I/O CMOS for OPTIMUM SPEED/POWER AUTOMATIC POWER-DOWN WHEN DESELECTED INTENDED FOR USE WITH ST ZEROPOWER® AND TIMEKEEPER ® CONTROLLERS 32 1 TSOP II 32 (NC) 10 x 20mm s Figure 1. Logic Diagram DESCRIPTION The M68Z512 is a 4 Mbit
pdf
M68Z512-70NC1T ST Microelectronics
ST Microelectronics
  4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable

pdf
M68Z512NC ST Microelectronics
ST Microelectronics
  4 Mbit 512Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты