|
M6MGB331S4BKT даташитФункция этой детали – «Cmos Sram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M6MGB331S4BKT | Renesas |
CMOS SRAM
Preliminary
Notice: This is not a final specification. Some parametric limits are subject to change.
Renesas LSIs
M6MGB/T331S4BKT
33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD BY 8-BIT) CMOS SRAM Stacked - µ MCP (micro Multi Chip Package)
Description
The M6MGB/T331S4BKT is a Stacked micro Multi Chip Package (S- µMCP) that contents 32M-bit Flash memory and 4M-bit Static RAM in a 52-pin TSOP for |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |