|
MA02107AF-R13 даташитФункция этой детали – «3.4 V / 1.2 W Rf Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA02107AF-R13 | Tyco |
3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC 3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC
V 1.0
MA02107AF
Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match
Functional Schematic
V DD1 N/C GND GND RF IN GND GND N/C V DD2 GND GND GND RF OUT/V DD3 GND GND N/C
Description
The MA02107AF is a three stage power amplifier, designed for paging applications to have an output power of +30.8 dBm with an input power of 0 dBm. This power amplifie |
Это результат поиска, начинающийся с "02107AF", "MA02107AF-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA02107AF | Tyco |
3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC 3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC
V 1.0
MA02107AF
Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match
Functional Schematic
V DD1 N/C GND |
|
MA02107AF-R7 | Tyco |
3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC 3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC
V 1.0
MA02107AF
Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match
Functional Schematic
V DD1 N/C GND |
|
MA02107AF-SMB | Tyco |
3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC 3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC
V 1.0
MA02107AF
Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match
Functional Schematic
V DD1 N/C GND |
|
NE02107 | ETC |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES
• HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz • LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz
E
NE021 SERIES
• HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz
B
• LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression
s r e b m : u E n T t |
|
NE02107 | CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES
• HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz • LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz • HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz • LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression
B E
NE021 SERIES
DESCRIPTION
NEC's NE021 |
|
NE02107 | NEC |
NPN Silicon High Frequency Transistor |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |