DataSheet26.com


MA02107AF-R13 даташит

Функция этой детали – «3.4 V / 1.2 W Rf Power Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA02107AF-R13 Tyco
Tyco
  3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC

3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC V 1.0 MA02107AF Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match Functional Schematic V DD1 N/C GND GND RF IN GND GND N/C V DD2 GND GND GND RF OUT/V DD3 GND GND N/C Description The MA02107AF is a three stage power amplifier, designed for paging applications to have an output power of +30.8 dBm with an input power of 0 dBm. This power amplifie
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "02107AF", "MA02107AF-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA02107AF Tyco
Tyco

3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC

3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC V 1.0 MA02107AF Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match Functional Schematic V DD1 N/C GND
pdf
MA02107AF-R7 Tyco
Tyco

3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC

3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC V 1.0 MA02107AF Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match Functional Schematic V DD1 N/C GND
pdf
MA02107AF-SMB Tyco
Tyco

3.4 V / 1.2 W RF Power Amplifier IC

3.4 V, 1.2 W RF Power Amplifier IC V 1.0 MA02107AF Features § Ideal for Pager Applications § +30.8 dBm Output Power § 30.8 dB Power Gain § Single Positive Supply § Class AB Bias § 50 Ohm Input Impedance § Single Capacitor Output Match Functional Schematic V DD1 N/C GND
pdf
NE02107 ETC
ETC

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz • LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz E NE021 SERIES • HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz B • LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression s r e b m : u E n T t
pdf
NE02107 CEL
CEL

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz • LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz • HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz • LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB, 2 GHz Gain Compression B E NE021 SERIES DESCRIPTION NEC's NE021
pdf
NE02107 NEC
NEC

NPN Silicon High Frequency Transistor

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты