|
MA26077 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA26077 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Band Switching Diodes
MA26077
Silicon epitaxial planar type
For band switching Features
0.60±0.05
Unit: mm
Low forward dynamic resistance rf Less voltage dependence of diode capacitance CD
3
2
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage Forward current Operating ambient temperature Storage temperature Symbol VR IF Topr Tstg Rating 35 100 –25 ∼ +85 –55 to +125 Unit V mA °C °C
1 1.00±0.05
0.39+0.01 −0.03 0.15±0.05 0.05±0.03 0.35±0.01
0.25±0.05 |
Это результат поиска, начинающийся с "26077", "MA26" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA26111 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Switching Diodes
MA26111
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits Features
Allowing high-density mounting Short reverse recovery time trr Small terminal capacitance Ct High breakdown voltage: VR = 80 V
0.01±0.005 0.60±0.05
|
|
MA262371 | Endicott Research |
Six Tube DC to AC Inverter Endicott Research Group, Inc.
2601 Wayne St., Endicott NY 13760 607-754-9187 Fax 607-754-9255 http://www.ergpower.com
MA262371
Six Tube DC to AC Inverter Package Configuration
.52 [13,2] J3
1 1
Specifications and Applications Information
07/20/00 Preliminary
.750 [19,05]
Powe |
|
MA26376 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Variable Capacitance Diodes
MA26376
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For UHF wireless telegraphic VCO
0.60±0.05
■ Features
• Good linearity and large capacitance-ratio in CD − VR relation • Small series resistance rD
3
2
1 1.00±0.05
0.3 |
|
MA26V01 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Variable Capacitance Diodes
MA26V01
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For VCO ■ Features
• Good linearity and large capacitance-ratio in CD − VR relation • Small series resistance rD
1.00±0.05
0.60±0.05
3
2
1
0.39+0.01 −0.03
0.25±0.05 |
|
MA26V02 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Variable Capacitance Diodes
MA26V02
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For VCO ■ Features
• Good linearity and large capacitance-ratio in CD − VR relation • Small series resistance rD
1 1.00±0.05
0.60±0.05
3
2
0.39+0.01 −0.03
■ Absolut |
|
MA26V03 | Panasonic Semiconductor |
Silicon epitaxial planar type
Variable Capacitance Diodes
MA26V03
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For VCO ■ Features
• Good linearity and large capacitance-ratio in CD − VR relation • Small series resistance rD • High frequency type by this low capacitance
1 1.00±0.05
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |