|
MA2C195 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA2C195 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Switching Diodes
MA2C195
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits I Features
• Low forward dynamic resistance rf • Small terminal capacitance, Ct
1st Band 2nd Band COLORED BAND INDICATES CATHODE
φ 0.45 max. 1
0.2 max.
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average forward current Repetitive peak forward current Non-repetitive peak forward surge current* Junction temperature Storage temperature Note) * : t = l s Symbol VR VRRM I |
Это результат поиска, начинающийся с "2C195", "MA2C" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2195 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39 |
|
2N2195A | Semicoa |
(2N2xxx) NPN General Purpose Medium Speed Amplifiers w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2N2195A | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39 |
|
2N2195B | Central Semiconductor |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)
TYPE NO. DESCRIPTION
VCBO (V)
2N1975 NPN AMPL/SWITCH 2N1983 NPN AMPL/SWITCH 2N1984 NPN AMPL/SWITCH 2N1985 NPN AMPL/SWITCH 2N1986 NPN AMPL/SWITCH 2N1987 NPN AMPL/SWITCH 2N1988 NPN AMPL/SWITCH 2N1989 NPN AMPL/SWITCH 2N1990 NPN AMPL |
|
2N2195B | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39 |
|
2SD2195 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor (100V / 2A) 2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398
Transistors
Power Transistor (100V , 2A)
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398
!Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |