|
MA2H735 даташитФункция этой детали – «Schottky Barrier Diodes (sbd)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA2H735 | Panasonic |
Schottky Barrier Diodes (SBD) Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2H735
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
3.2 ± 0.1 0 to 0.05
• Small and thin Half New Mini-power package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 1 A) condition • Low VF (forward voltage) type: VF > 0.5 V at IF = 1 A
1.9 ± 0.1
2
1
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average forward current Non-repetitive peak forward surge current* Junction temperature Storage temperature
Symbol VR VRRM IF(AV) IFSM Tj Tstg
Rating 30 30 |
Это результат поиска, начинающийся с "2H735", "MA2H" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1SCA022735R9420 | ABB |
neutral and earth terminals |
|
2SC2735 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SC2735
Silicon NPN Epitaxial
Application
UHF/VHF Local oscillator, frequency converter
Outline
MPAK
3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SC2735
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collec |
|
2SC2735 | Renesas |
Silicon NPN Epitaxial 2SC2735
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0706-0200 (Previous ADE-208-1075) Rev.2.00 Aug.10.2005
Application
UHF/VHF Local oscillator, frequency converter
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Note:
Marking is “JC� |
|
2SC2735 | Kexin |
Silicon NPN Epitaxial SMD Type
Silicon NPN Epitaxial 2SC2735
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
+0.1 2.4-0.1
+0.1 1.3-0.1
Features
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+0.1 0.97-0.1
1.Base 2.Emitter 3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Pa |
|
2SC2735 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN RF Transistor INCHANGE Semiconductor
isc RF Product Specification
isc Silicon NPN RF Transistor
2SC2735
DESCRIPTION ·Low Noise ·High Gain
APPLICATIONS ·Designed for use in UHF ~ VHF local oscillator, frequency converter.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
|
|
2SK2735 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2735(L), 2SK2735(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-543 1st. Edition Features
• Low on-resistance R DS = 20 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
DPAK–2
4
4
D 1 2 G 3
S
1 2
3
1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |