DataSheet26.com


MA2H735 даташит

Функция этой детали – «Schottky Barrier Diodes (sbd)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA2H735 Panasonic
Panasonic
  Schottky Barrier Diodes (SBD)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA2H735 Silicon epitaxial planar type Unit : mm For switching circuits 3.2 ± 0.1 0 to 0.05 • Small and thin Half New Mini-power package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 1 A) condition • Low VF (forward voltage) type: VF > 0.5 V at IF = 1 A 1.9 ± 0.1 2 1 Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average forward current Non-repetitive peak forward surge current* Junction temperature Storage temperature Symbol VR VRRM IF(AV) IFSM Tj Tstg Rating 30 30
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2H735", "MA2H"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1SCA022735R9420 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
2SC2735 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial

2SC2735 Silicon NPN Epitaxial Application UHF/VHF Local oscillator, frequency converter Outline MPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector 2SC2735 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collec
pdf
2SC2735 Renesas
Renesas

Silicon NPN Epitaxial

2SC2735 Silicon NPN Epitaxial REJ03G0706-0200 (Previous ADE-208-1075) Rev.2.00 Aug.10.2005 Application UHF/VHF Local oscillator, frequency converter Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector Note: Marking is “JC�
pdf
2SC2735 Kexin
Kexin

Silicon NPN Epitaxial

SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC2735 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm +0.1 2.4-0.1 +0.1 1.3-0.1 Features 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 0.55 0.4 3 +0.05 0.1-0.01 +0.1 0.97-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Pa
pdf
2SC2735 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN RF Transistor

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor 2SC2735 DESCRIPTION ·Low Noise ·High Gain APPLICATIONS ·Designed for use in UHF ~ VHF local oscillator, frequency converter. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
pdf
2SK2735 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2735(L), 2SK2735(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-543 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS = 20 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline DPAK–2 4 4 D 1 2 G 3 S 1 2 3 1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты