|
MA2Q736 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA2Q736 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2Q736
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
4.4 ± 0.3 0 to 0.05
• Forward current (average) IF(AV): 1 A type • Reverse voltage (DC value) VR: 40 V • Allowing automatic insertion with the emboss taping
2.5 ± 0.3
I Features
2
1
0.25 − 0.05
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average forward current*1 Symbol VR VRRM IF(AV) IFSM Tj Tstg Rating 40 40 1 30 −40 to +125 −40 to +125 Uni |
Это результат поиска, начинающийся с "2Q736", "MA2Q" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2736 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SC2736
Silicon NPN Epitaxial
Application
• UHF/VHF frequency converter • Local oscillator
Outline
MPAK
3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SC2736
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage |
|
2SC2736 | Kexin |
Silicon NPN Epitaxial SMD Type
Silicon NPN Epitaxial 2SC2736
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
+0.1 2.4-0.1
+0.1 1.3-0.1
Features
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+0.1 0.97-0.1
1.Base 2.Emitter 3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Pa |
|
2SC2736 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN RF Transistor INCHANGE Semiconductor
isc RF Product Specification
isc Silicon NPN RF Transistor
2SC2736
DESCRIPTION ·Low Noise ·High Gain
APPLICATIONS ·Designed for use in UHF~ VHF local oscillator, frequency converter.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V |
|
2SC2736 | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Silicon NPN transistor 2SC2736
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
频率高。 High fT.
用途 / Applications
用于超高频、特高频的频率转换,负载振荡 |
|
2SK2736 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching 2SK2736
Silicon N Channel DV–L MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-544 1st. Edition Features
• Low on-resistance R DS(on) = 20 mΩ typ. (VGS = 10V, ID = 15 A) • 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
TO–220CFM
D
G 1 2 3
1. Gate 2. Drain 3. So |
|
C2736 | Hitachi Semiconductor |
NPN Transistor - 2SC2736 2SC2736
Silicon NPN Epitaxial
Application
• UHF/VHF frequency converter • Local oscillator
Outline
MPAK
3
1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SC2736
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base volta |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |