|
MA2SD10 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA2SD10 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD10
Silicon epitaxial planar type
0.30 ± 0.05
For super-high speed switching circuit I Features
• • • • Sealed in the super small SS-mini type 2-pin package Allowing to rectify under (IF(AV) = 200 mA) condition Low forward rise voltage VF Allowing high-density mounting
0.80
0.80 ± 0.05
Unit : mm
2
1
0.60
0.60
0.12 − 0.02
+ 0.05
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak forward surge cu |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD10", "MA2S" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1000 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1000 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SD1000
Transistors
Features
World standard miniature package:SOT-89. Low collector saturation voltage.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current |
|
2SD1001 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1001 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SD1001
Transistors
Features
World standard miniature package:SOT-89. High collector-emitter voltage.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (D |
|
2SD1005 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1005 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxia SMD Type
NPN Silicon Epitaxia 2SD1005
Transistors
Features
World standard miniature package: SOT-89. High collector to base voltage: VCBO 100V.
Excellent dc current gain linearity: hFE=80TYP. (VCE=2V, IC=500mA).
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltag |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |