|
MA2SD30 даташитФункция этой детали – «Schottky Barrier Diodes SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA2SD30 | Panasonic Semiconductor |
Schottky Barrier Diodes Silicon epitaxial planar type
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD30
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For super high speed switching ■ Features
• Small reverse current: IR < 2 µA (at VR = 30 V) • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr .
0.80±0.05
0.60+0.05 –0.03 0.80+0.05 –0.03 1
(0.60)
0.12+0.05 –0.02
(0.80)
(0.60)
0.01±0.01
5˚
2 0.30±0.05
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage Repetitive peak reverse voltage Forward curre |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD30", "MA2S" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD30 | Sanyo Semiconductor |
NPN Transistor |
|
0230200L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230200L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230300L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230300L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230400L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |