|
MA30W-B даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planer Type Variable Resistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA30W-B | Panasonic |
Silicon epitaxial planer type variable resistor Varistors
MA111
MA30 Series
Silicon epitaxial planer type variable resistor
For temperature and reduced voltage compensation s Features
q S-Mini
Cathode Anode
Unit : mm
0.625
type package enabling high-density mounting small reverse current IR
0.5±0.1
1
q Large q Wide
power dissipation PD forward voltage V F range
2
0.16 –0.06
+0.1
0.3
0.4±0.1 1.7±0.1 2.5±0.2 0.4±0.1
q Extremely
1.25±0.1
s Absolute Maximum Ratings (Ta= 25˚C)
Parameter Reverse voltage (DC) Forward current (DC) Power dissipation Jun |
Это результат поиска, начинающийся с "30W", "MA30" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC3930W | Galaxy Semi-Conductor |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z z High transition frequency fT. Optimum for RF amplification of FM/AM radios. z For high-frequency amplification complementary to 2SA1532.
Production specification
2SC3930W
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
z Aud |
|
30WQ03F | International Rectifier |
Schottky Rectifier ( Diode ) PD-20559 rev. B 10/98
30WQ03FN
SCHOTTKY RECTIFIER 3.5 Amp
D-Pak (TO-252AA)
Major Ratings and Characteristics Characteristics
I F(AV) Rectangular waveform VRRM I FSM @ tp = 5 µs sine VF TJ @ 3 Apk, TJ = 125°C range 30 535 0.35 - 40 to 150 V A V °C
Description/Features
The 3 |
|
30WQ03FN | International Rectifier |
Schottky Rectifier ( Diode ) PD-20559 rev. B 10/98
30WQ03FN
SCHOTTKY RECTIFIER 3.5 Amp
D-Pak (TO-252AA)
Major Ratings and Characteristics Characteristics
I F(AV) Rectangular waveform VRRM I FSM @ tp = 5 µs sine VF TJ @ 3 Apk, TJ = 125°C range 30 535 0.35 - 40 to 150 V A V °C
Description/Features
The 3 |
|
30WQ03FNPBF | International Rectifier |
Schottky Rectifier ( Diode )
Bulletin PD-21052 rev. B 08/06
30WQ03FNPbF
SCHOTTKY RECTIFIER 3.5 Amp
IF(AV) = 3.5Amp VR = 30V
Major Ratings and Characteristics Characteristics
IF(AV) Rectangular waveform VRRM IFSM @ tp = 5 μs sine VF TJ @ 3 Apk, TJ = 125°C range
Description/ Features |
|
30WQ040 | New Jersey Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
|
30WQ04F | New Jersey Semiconductor |
Diode Schottky 40V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |