|
MA3D798 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type (cathode Common)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3D798 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type (cathode common) Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3D798
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit : mm
For switching power supply
9.9 ± 0.3
4.6 ± 0.2
15.0 ± 0.5
I Features
• TO-220D package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 20 A) condition • Cathode common dual type • Low VF (forward voltage) type: VF < 0.47 V (at IF = 10 A)
φ 3.2 ± 0.1
13.7 ± 0.2 4.2 ± 0.2
1.4 ± 0.2 1.6 ± 0.2 0.8 ± 0.1 2.54 ± 0.3 3 5.08 ± 0.5
3.0 ± 0.5
2.9 ± 0.2
2.6 ± 0.1
0.55 ± 0.15
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25° |
Это результат поиска, начинающийся с "3D798", "MA3D" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3798 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3798A | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3798B | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
2N3798 | Semicoa Semiconductor |
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN Data Sheet No. 2C2605
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN
Generic Packaged Parts: 2N2604, 2N2605, 2N3798, 2N3799, 2N3810, 2N3811
Chip type 2C2605 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices.
Part Numbers:
2N2604, 2N2605, 2N3789, 2N3799, 2N38 |
|
2N3798 | New Jersey Semiconductor |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
2N3798 | Central Semiconductor |
SILICON PNP TRANSISTORS 2N3798 2N3798A 2N3799 2N3799A
SILICON PNP TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3798, 2N3799 series devices are silicon PNP epitaxial planar transistors designed for low noise amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |