|
MA3S781 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3S781 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S781
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
0.28 ± 0.05
For the switching circuit I Features
• 1608 type diode contained in the (SS-mini) package • Surface mounting, allowing high-density mounting • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency
0.80
1.60 ± 0.1 0.80 ± 0.05
1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51
1
+ 0.05
3
2
Parameter Reverse voltage (DC) Peak re |
|
MA3S781D | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S781D
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
0.28 ± 0.05
For high-speed switching circuits
1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51
0.80
1.60 ± 0.1 0.80 ± 0.05
I Features
• SS-mini type 3-pin package • Allowing high-density mounting • Anode common type
1
+ 0.05
3
2
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Reverse voltage (DC) Peak reverse voltage Forward current (DC) Peak forward current Single Double Single Double Tj Tstg IFM VR VRM IF 30 30 30 20 150 110 125 −55 to +125 °C |
|
MA3S781E | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type (cathode common) Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S781E
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit : mm
0.28 ± 0.05
For high-speed switching circuits I Features
• SS-mini type 3-pin package • Allowing high-density mounting • Cathode common type
1.60 ± 0.1 0.80 0.80 ± 0.05
1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51
1
+ 0.05
3
2
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Peak reverse voltage Average forward current Peak forward current Single Double Single Double Tj Tstg IFM Symbol VR VRM IF Rat |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |