DataSheet26.com


MA3S781 даташит

Функция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA3S781 Panasonic
Panasonic
  Silicon epitaxial planar type

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3S781 Silicon epitaxial planar type Unit : mm 0.28 ± 0.05 For the switching circuit I Features • 1608 type diode contained in the (SS-mini) package • Surface mounting, allowing high-density mounting • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency 0.80 1.60 ± 0.1 0.80 ± 0.05 1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51 1 + 0.05 3 2 Parameter Reverse voltage (DC) Peak re
pdf
MA3S781D Panasonic
Panasonic
  Silicon epitaxial planar type

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3S781D Silicon epitaxial planar type Unit : mm 0.28 ± 0.05 For high-speed switching circuits 1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51 0.80 1.60 ± 0.1 0.80 ± 0.05 I Features • SS-mini type 3-pin package • Allowing high-density mounting • Anode common type 1 + 0.05 3 2 I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Reverse voltage (DC) Peak reverse voltage Forward current (DC) Peak forward current Single Double Single Double Tj Tstg IFM VR VRM IF 30 30 30 20 150 110 125 −55 to +125 °C
pdf
MA3S781E Panasonic
Panasonic
  Silicon epitaxial planar type (cathode common)

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3S781E Silicon epitaxial planar type (cathode common) Unit : mm 0.28 ± 0.05 For high-speed switching circuits I Features • SS-mini type 3-pin package • Allowing high-density mounting • Cathode common type 1.60 ± 0.1 0.80 0.80 ± 0.05 1.60 − 0.03 0.80 0.80 0.51 0.51 1 + 0.05 3 2 I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Reverse voltage (DC) Peak reverse voltage Average forward current Peak forward current Single Double Single Double Tj Tstg IFM Symbol VR VRM IF Rat
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты