|
MA3X704 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3X704 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type |
|
MA3X704A | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X704, MA3X704A
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits For wave detection circuit
2.9 − 0.05
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 1.5
+ 0.2
Unit : mm
0.65 ± 0.15
+ 0.25 − 0.05
0.95
0.95
I Features
• Low forward rise voltage (VF) and satisfactory wave detection efficiency (η) • Small temperature coefficient of forward characteristic • Extremely low reverse current IR
1.9 ± 0.2
+ 0.2
1 3 2
1.45 0 to 0.1
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse volt |
|
MA3X704A | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type |
|
MA3X704D | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X704D, MA3X704E
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits For wave detection circuit I Features
• Two MA3X704As are contained in one package • Low forward rise voltage (VF) and satisfactory wave detection efficiency (η) • Small tmperature coefficient of forward characteristic • Extremely low reverse current IR
2.9 − 0.05
+ 0.2
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 1.5
+ 0.2
Unit : mm
0.65 ± 0.15
+ 0.25 − 0.05
0.95
1.9 ± 0.2
1 3 2
0.95
1.45
Parameter Reverse voltag |
|
MA3X704E | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |