|
MA3X721 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3X721 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X721
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit For small current rectification I Features
• Sealed in the mini type mold package, allowing insertion • Allowing to rectify under (IF(AV) = 200 mA) condition • High reliability
2.9 − 0.05
+ 0.2
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 1.5 − 0.05
+ 0.25
+ 0.2
0.65 ± 0.15
0.95
1.9 ± 0.2
1 3 2
0.95
1.45 0 to 0.1
1.1 − 0.1
+ 0.2
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) N |
|
MA3X721D | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X721D, MA3X721E
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit For small current rectification
• Two MA3X721s are contained in one package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 200 mA) condition (for the single diode)
2.9 − 0.05
+ 0.2
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 1.5
+ 0.25 − 0.05
+ 0.2
0.65 ± 0.15
1.9 ± 0.2
I Features
0.95
1 3 2
0.95
1.45
1.1 − 0.1
+ 0.2
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Peak forward curr |
|
MA3X721E | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |