|
MA3X791 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3X791 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X791
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit For small current rectification I Features
• Two MA3X786s are contained in one package (series connection) • Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency
2.9 − 0.05
+ 0.2
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15
+ 0.2
Unit : mm
0.65 ± 0.15
1.5 − 0 |
Это результат поиска, начинающийся с "3X791", "MA3X" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3791 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3791A | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3791B | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
2N3791 | Boca Semiconductor Corporation |
SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
|
2N3791 | Central Semiconductor |
PNP POWER TRANSISTORS 2N3789 2N3791 2N3790 2N3792
SILICON PNP POWER TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3789, 2N3790, 2N3791, and 2N3792 are silicon PNP power transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for medium speed swi |
|
2N3791 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistors Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION
·With TO-3 package ·Complement to type 2N3715 ,2N3716 ·Excellent safe operating area
APPLICATIONS
Designed for medium-speed switching and amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3
DESCRIPTION Base Emitter Coll |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |