DataSheet26.com


MA3X791 даташит

Функция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA3X791 Panasonic
Panasonic
  Silicon epitaxial planar type

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3X791 Silicon epitaxial planar type For super-high speed switching circuit For small current rectification I Features • Two MA3X786s are contained in one package (series connection) • Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency 2.9 − 0.05 + 0.2 2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 + 0.2 Unit : mm 0.65 ± 0.15 1.5 − 0
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3X791", "MA3X"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N3791 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 100V 275A 2-Pin DO-9

pdf
1N3791A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 100V 275A 2-Pin DO-9

pdf
1N3791B New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 100V 275A 2-Pin DO-9

pdf
2N3791 Boca Semiconductor Corporation
Boca Semiconductor Corporation

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

pdf
2N3791 Central Semiconductor
Central Semiconductor

PNP POWER TRANSISTORS

2N3789 2N3791 2N3790 2N3792 SILICON PNP POWER TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3789, 2N3790, 2N3791, and 2N3792 are silicon PNP power transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for medium speed swi
pdf
2N3791 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistors

Inchange Semiconductor Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N3715 ,2N3716 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Emitter Coll
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты