|
MA3XD14E даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type (cathode Common)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA3XD14E | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type (cathode common) Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3XD14E
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
Unit : mm
For high-speed switching circuits I Features
• Mini type 3-pin package • Low forward rise voltage VF (VF < 0.4 V) • Cathode common type
2.9 − 0.05
+ 0.2
2.8 − 0.3 0.65 ± 0.15 1.5 − 0.05
+ 0.25
+ 0.2
0.65 ± 0.15
0.95
1.9 ± 0.2
1 3 2
0.95
1.45
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak forward surge current*2 Forward current |
|
MA3XD14E | Kexin |
Schottky Barrier Diodes SMD Type
Schottky Barrier Diodes MA3XD14E
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Diodes
Unit: mm
+0.1 2.4-0.1
Features
Mini type 3-pin package Low forward rise voltage VF (VF < 0.4 V) Cathode common type
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+0.1 0.97-0.1
1.Base 2.Emitter 3.collector
Absolute Maxim um Ratings Ta = 25
Param eter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse-voltage Non-repetitive peak forward-surge-current (Note 2) Forward current (DC) Single Double (Note 1) Peak fo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |