|
MA40020 даташитФункция этой детали – «CeramIC Packaged SilICon Schottky Mixer Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA40020 | MA-COM |
Ceramic Packaged Silicon Schottky Mixer Diodes |
Это результат поиска, начинающийся с "40020", "MA40" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HC400201C-VA | HTDisplay |
LCD module |
|
MBR40020CT | Micro Commercial Components |
400 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier MCC
Features
• • • •
omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $
% !"#
MBR40020CT THRU MBR300100CT
400 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts FULL PACK
Metal of siliconrectifier, majonty carrier c |
|
MBR40020CT | Naina Semiconductor |
(MBR40020CT - MBR40040CTR) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Features
• • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM
MBR40020CT thru MBR40040CTR
Silicon Schottky Diode, 400A
TWIN TOWER PACKAGE
Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) Pa |
|
MBR40020CT | America Semiconductor |
(MBR40020CT - MBR40040CTR) Silicon Power Schottky Diode Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
MBR40020CT | GeneSiC |
(MBR40020CT - MBR40040CTR) Silicon Power Schottky Diode MBR40020CT thru MBR40040CTR
Silicon Power Schottky Diode
Features
• High Surge Capability • Types from 20 V to 40 V VRRM • Not ESD Sensitive Twin Tower Package
VRRM = 20 V - 40 V IF(AV) = 400 A
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have |
|
MBR40020CTR | Naina Semiconductor |
(MBR40020CT - MBR40040CTR) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Features
• • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM
MBR40020CT thru MBR40040CTR
Silicon Schottky Diode, 400A
TWIN TOWER PACKAGE
Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) Pa |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |