|
MA4BN1840-2 даташитФункция этой детали – «MonolithIC HmIC Integrated Dual Bias Network». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4BN1840-2 | Tyco Electronics |
Monolithic HMIC Integrated Dual Bias Network Monolithic HMIC Integrated Dual Bias Network 18 - 40 GHz
V 1.00
MA4BN1840-2
Features
n n n n n
MA4BN1840-2 Chip Layout
Broad Bandwidth Specified for 18 to 40 GHz Useable from 15 GHz to 50 GHz Extremely Low Insertion Loss High RF-DC Isolation Rugged, Fully Monolithic, Glass Encapsulated Construction
Description
The MA4BN1840-2 device is a fully monolithic broadband bias network utilizing M/A-COM's HMIC TM (Heterolithic Microwave Integrated Circuit) Process, US Patent 5,268,310. This process allows the incorporation |
Это результат поиска, начинающийся с "4BN1840", "MA4BN184" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4BN1840-1 | Tyco Electronics |
Monolithic HMIC Integrated Network Monolithic HMIC Integrated Bias Network 18 - 40 GHz
V 1.00
MA4BN1840-1
Features
n n n n n
MA4BN1840-1 Chip Layout
Broad Bandwidth Specified from 18 to 40 GHz Useable from 10 GHz to 50 GHz Extremely Low Insertion Loss High RF-DC Isolation Rugged, Fully Monolithic, Glass Encap |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |