|
MA4E2513-1289 даташитФункция этой детали – «SilICon Schottky Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4E2513-1289 | Tyco Electronics |
Silicon Schottky Diodes SURMOUNTTM Low Barrier Tee “0301” Footprint Silicon Schottky Diodes
Features
• Extremely Low Parasitic Capitance and Inductance • Extremely Small “0301” (1000 x 300um) Footprint • Surface Mountable in Microwave Circuits, No Wirebonds Required • Rugged HMIC Construction with Polyimide Scratch Protection • Reliable, Multilayer Metalization with a Diffusion • Barrier, 100% Stabilization Bake (300°C, 16 hours) • Lower Susceptibility to ESD Damage
MA4E2513-1289 Series V1
The MA4E2513L-1289 SurMount Lo |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |