|
MA4SW510 даташитФункция этой детали – «Sp5t Pin Diode Reflective Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4SW510 | Tyco Electronics |
SP5T PIN Diode Reflective Switch
SP5T PIN Diode Reflective Switch
Features
n n n
V 2.00
MA4SW510
MA4SW510 Layout
Ultra Broad Bandwidth: 50 MHz to 26 GHz 1.0 dB Insertion Loss, 30 dB Isolation at 20 GHz Reliable. Fully Monolithic, Glass Encapsulated Construction
Description
The MA4SW510 is a SP5T Series-Shunt broad band switch made with M/A-COM’s HMIC TM (Heterolithic Microwave Integrated Circuit) process, US Patent 5,268,310. This process allows the incorporation of silicon pedestals that form series and shunt diodes or vias |
|
MA4SW510B-1 | Tyco Electronics |
SP5T PIN Diode Switch
SP5T PIN Diode Switch with Integrated Bias Network
Features
n n n
V 1.00
MA4SW510B-1
MA4SW510B-1 Layout
Ultra Broad Bandwidth: 2 GHz to 18 GHz 1.8 dB Insertion Loss, 35 dB Isolation at 18 GHz Reliable. Fully Monolithic, Glass Encapsulated Construction
Description
The MA4SW510B-1 is a SP5T Series-Shunt broad band switch with integrated bias networks made with M/A-COM’s HMICTM (Heterolithic Microwave Integrated Circuit) process, US Patent 5,268,310. This process allows the incorporation of sili |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |