|
MA4SW510B-1 даташитФункция этой детали – «Sp5t Pin Diode Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4SW510B-1 | Tyco Electronics |
SP5T PIN Diode Switch
SP5T PIN Diode Switch with Integrated Bias Network
Features
n n n
V 1.00
MA4SW510B-1
MA4SW510B-1 Layout
Ultra Broad Bandwidth: 2 GHz to 18 GHz 1.8 dB Insertion Loss, 35 dB Isolation at 18 GHz Reliable. Fully Monolithic, Glass Encapsulated Construction
Description
The MA4SW510B-1 is a SP5T Series-Shunt broad band switch with integrated bias networks made with M/A-COM’s HMICTM (Heterolithic Microwave Integrated Circuit) process, US Patent 5,268,310. This process allows the incorporation of sili |
Это результат поиска, начинающийся с "4SW510B", "MA4SW510" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
145106P | Motorola Semiconductors |
MC145106P MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MC145106/D
MC145106 PLL Frequency Synthesizer
CMOS
The MC145106 is a phase–locked loop (PLL) frequency synthesizer constructed in CMOS on a single monolithic structure. This synthesizer finds applications in such a |
|
1N4510 | Solid State |
POWER RECTIFIER |
|
1N4510 | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 1KV 22A 2-Pin DO-4 |
|
2SC4510 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC4510
DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·High voltage ,high speed switching ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC convertors ·Solid st |
|
4510B | Fairchild |
Up / Down Decade Counter |
|
5SHY35L4510 | ABB |
Asymmetric Integrated Gate- Commutated Thyristor VDRM ITGQM ITSM V(T0) rT VDC-link
= = = = = =
4500 4000 32×103 1.4 0.325 2800
V A A V mΩ V
Asymmetric Integrated GateCommutated Thyristor
5SHY 35L4510
Doc. No. 5SYA1232-02 June 07
• High snubberless turn-off rating • Optimized for medium frequency (<1 kHz) and wide t |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |