|
MA4TD1110 даташитФункция этой детали – «SilICon Bipolar MmIC Cascadable Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4TD1110 | M-pulse Microwave |
Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier
M-Pulse Microwave
Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier
Features • High Dynamic Range Cascadable 50Ω/75Ω Gain Block • 3dB Bandwidth: 50 MHz to 1.3 GHz • 17.0 dBm Typical P1dB @ 1.0 GHz • 12 dB Typical Gain @ 0.5 GHz • 3.8 dB Typical Noise Figure @ 1.0 GHz • Hermetic Gold-Ceramic Microstrip Package • Tape and Reel Packaging Available Description M-Pulse's MP4TD1110 is a high performance silicon bipolar MMIC housed in a hermetic high reliability package. The MP4TD1110 is designed f |
Это результат поиска, начинающийся с "4TD1110", "MA4TD1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MP4TD1110 | M-pulse Microwave |
Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier M-Pulse Microwave
Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier
Features • High Dynamic Range Cascadable 50Ω/75Ω Gain Block • 3dB Bandwidth: 50 MHz to 1.3 GHz • 17.0 dBm Typical P1dB @ 1.0 GHz • 12 dB Typical Gain @ 0.5 GHz • 3.8 dB Typical Noise Figure @ 1.0 GHz • Herm |
|
SC741110 | celduc-relais |
Power Solid State Relay S/MON/SC741110/A/30/12/1999
page 1 /2 F/GB
Relais statique monophasé de puissance Power Solid State Relay
• Sortie AC non synchrone : 12-280VAC-12A • Possibilité de protection IP20 en option : Capot 1K460000 • Adapté pour le contrôle du moteur et la commande en angle |
|
SIP41110 | Vishay Siliconix |
(SIP41109 / SIP41110) Half-Bridge N-Channel MOSFET Driver for DC/DC Conversion SiP41109/41110
New Product
Vishay Siliconix
Half-Bridge N-Channel MOSFET Driver for DC/DC Conversion
FEATURES
D D D D D D D D D PWM With Tri-State Enable 12-V Low-Side Gate Drive (SiP41109) 8-V Low-Side Gate Drive (SiP41110) Undervoltage Lockout Internal Bootstrap Diode Switchi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |