DataSheet26.com


MA4X796 даташит

Функция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA4X796 Panasonic
Panasonic
  Silicon epitaxial planar type

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA4X796 Silicon epitaxial planar type Unit : mm For super-high speed switching circuit For small current rectification I Features • Two MA3X787s in the same direction are contained in one package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency • Reverse voltage VR (DC value) = 50 V guaranteed 2.8 − 0.3 0.65 ±
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4X796", "MA4X"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N4796 MSI Electronics
MSI Electronics

(1N4xxx) VARACTOR DIODE

pdf
1N4796 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7

pdf
1N4796A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7

pdf
1N4796B New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7

pdf
2SC4796 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused

2SC4796 Silicon NPN Triple Diffused Application TV / character display horizontal deflection output TO–3PFM Features • High speed switching tf ≤ 0.6 µs • High breakdown voltage VCBO = 1700 V • Isolated package TO–3PFM 1 2 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolu
pdf
MA4X159A Panasonic
Panasonic

Silicon epitaxial planar type

Switching Diodes MA4X159A Silicon epitaxial planar type Unit : mm For switching circuits 0.65 ± 0.15 2.8 − 0.3 + 0.2 1.5 − 0.05 + 0.25 0.65 ± 0.15 0.5 R I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average for
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты