|
MA4X796 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA4X796 | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA4X796
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For super-high speed switching circuit For small current rectification I Features
• Two MA3X787s in the same direction are contained in one package • Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency • Reverse voltage VR (DC value) = 50 V guaranteed
2.8 − 0.3 0.65 ± |
Это результат поиска, начинающийся с "4X796", "MA4X" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4796 | MSI Electronics |
(1N4xxx) VARACTOR DIODE |
|
1N4796 | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7 |
|
1N4796A | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7 |
|
1N4796B | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7 |
|
2SC4796 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SC4796
Silicon NPN Triple Diffused
Application
TV / character display horizontal deflection output
TO–3PFM
Features
• High speed switching tf ≤ 0.6 µs • High breakdown voltage VCBO = 1700 V • Isolated package TO–3PFM
1 2 3
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolu |
|
MA4X159A | Panasonic |
Silicon epitaxial planar type Switching Diodes
MA4X159A
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
For switching circuits
0.65 ± 0.15
2.8 − 0.3
+ 0.2
1.5 − 0.05
+ 0.25
0.65 ± 0.15
0.5 R
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Repetitive peak reverse voltage Average for |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |