DataSheet26.com


MA720 даташит

Функция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA720 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
  Silicon epitaxial planar type

Schottky Barrier Diodes (SBD) MA3X720 (MA720) Silicon epitaxial planar type Unit: mm For high frequency rectification ■ Features • Forward current (Average) IF(AV) = 500 mA rectification is possible • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr • Low forward voltage VF and good rectification efficiency 10˚ 1 0.40+0.10 –0.05 3 1.50+0.25 –0.05 2.8+0.2 –0.3 0.16+0.10 –0.06 2 (0.65) (0.95) (0.95) 1.9±0.1 2.90+0.20 –0.05 1.1+0.2 –0.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "720", "MA"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
0805CS-720E DELTA
DELTA

WIRE-WOUND CHIP INDUCTOR

1. Part Description 1.1 Part Numbering (Example) ( Ex. ) 0805 C S - 120 E J T S SIZE. 0402 1.0 * 0.5 mm 0603 1.6 * 0.8 mm 0805 2.0 * 1.2 mm 1008 2.5 * 2.0 mm 1206 3.2 * 1.6 mm 1210 3.2 * 2.5 mm SHAPE. C : C SHAPE H : H SHAPE M : MOLDING PROFILE. S: STANDARD T: LOW PROFILE Q:H
pdf
18F8720 Microchip Technology
Microchip Technology

PIC18F8720

PIC18F6520/8520/6620/8620/6720/8720 Data Sheet 64/80-Pin High-Performance, 256 Kbit to 1 Mbit Enhanced Flash Microcontrollers with A/D  2004 Microchip Technology Inc. DS39609B Note the following details of the code protection feature on Microchip devices: • Microchip prod
pdf
1N3720 GPD Optoelectronic Devices
GPD Optoelectronic Devices

(1N3712 - 1N3721) TUNNEL DIODE

( DataSheet : )
pdf
1N3720 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 100V 275A 2-Pin DO-9

pdf
1N3720 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf
1N4720 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Rectifiers

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты