|
MA795WA даташитФункция этой детали – «Schottky Barrier Diodes (sbd)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA795WA | Panasonic |
Schottky Barrier Diodes (SBD) Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S795D, MA3S795E (MA795WA, MA795WK)
Silicon epitaxial planar type
0.80±0.05
For switching I Features
• High-density mounting is possible • Low forward voltage VF , optimum for low voltage rectification: VF < 0.3 V (at IF = 1 mA) • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • SS-Mini type 3-pin package
0.28±0.05
Unit: mm
0.12+0.05 –0.02
(0.44) 3° (0.44)
3 1 2
3
1.60±0.05 (0.80)
1 2 (0.51) (0.80) (0.80) 1.60+0.05 –0.03 3° |
Это результат поиска, начинающийся с "795WA", "MA79" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2795 | Microsemi Corporation |
(1N2xxx) SILICON POWER RECTIFIER |
|
1N2795 | New Jersey Semiconductor |
Diode 150V 40A 2-Pin DO-5 |
|
1N3795 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3795A | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3795B | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N4795 | MSI Electronics |
(1N4xxx) VARACTOR DIODE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |